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        GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)

        GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā):
        *載流導(dǎo)體表面缺陷:如毛刺,尖角,等引起導(dǎo)體表面電廠強度不均勻,這種缺陷通常在制造或安裝時造成的,在穩(wěn)定的工頻電壓下不易引起擊穿,但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
        *
        絕緣子表面缺陷:如制造質(zhì)量**,絕緣子有氣泡或裂紋,安裝**下的污跡,塵埃等。
        *GIS
        筒內(nèi)在制造和安裝過程中存在的自由導(dǎo)電微粒。
        *
        導(dǎo)體部分接觸**。
        AIAcompact主要特點:
        1
        可連接聲波傳感器
        2
        可連接特高頻(UHF)傳感器(300MHz-2GHz
        3
        儀器自動識別傳感器類型
        4
        內(nèi)置可充電電池,攜帶方便,測量快速
        5
        紅外同步裝置
        6
        RS232接口,連接電腦可進行深入技術(shù)分析
        7
        高靈敏度:1mv1pc
        8
        LCD顯示屏
        9
        三種顯示模式

        滬公網(wǎng)安備 31010602002582號

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